标准详情与信息
标准名称：碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
标准号：T/IAWBS 012-2019
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。
起草单位与起草人
主要起草人：李晖、高飞、林健、程红娟、郑风振、杨丹丹、窦瑛、李佳、侯晓蕊、王立忠、李忠辉、佘宗静、陈鹏、韩超。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所。
范围：本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。
本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm，厚度为300 μm~1000 μm。*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。