GB/T 44514-2024 微机电系统(MEMS)技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法

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GB/T 44514-2024 微机电系统(MEMS)技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法

标准详情与信息

标准名称:微机电系统(MEMS)技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法

标准号:GB/T 44514-2024

发布日期:2024-09-29

实施日期:2024-09-29

管理部门:国家标准委

行业分类:电子学

此标准描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法,利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩,以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。

此标准适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底(通常是硅晶片)厚度的1/100。

起草单位与起草人

起草单位包含:北京自动化控制设备研究所、合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、北京晨晶电子有限公司、山东中康国创先进印染技术研究院有限公司、苏州大学、西安交通大学、中国科学院空天信息创新研究院、深圳市速腾聚创科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、安徽奥飞声学科技有限公司、航天长征火箭技术有限公司、天津新智感知科技有限公司、华东电子工程研究所(中国电子科技集团公司第三十八研究所)、山东中科思尔科技有限公司、苏州和林微纳科技股份有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司。

起草人包含:王永胜 、曹诗亮 、尚克军 、李根梓 、刘韧 、汤一 、毛志平 、孙立宁 、王志广 、陈德勇 、杨旸 、要彦清 、张鲁宇 、鲁毓岚 、张新伟 、安志武 、郑冬琛 、路文一 、陈得民 、张红旗 、商艳龙 、李帆雅 、钱晓晨 、高峰 。

*本网站标准资料仅供参考,使用标准请以正式出版的标准版本为准。