GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

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GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法  非接触涡流法

标准详情与信息

标准名称:半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

标准号:GB/T 6616-2009

发布日期:2009-10-30

实施日期:2010-06-01

管理部门:国家标准化管理委员会

行业分类:电气工程

起草单位与起草人

起草单位包含:万向硅峰电子股份有限公司。

起草人包含:楼春兰 、朱兴萍 、方强 、汪新平 、戴文仙 。

*本网站标准资料仅供参考,使用标准请以正式出版的标准版本为准。