标准详情与信息
标准名称:半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
标准号:GB/T 6616-2009
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-06-01
管理部门:国家标准化管理委员会
行业分类:电气工程
起草单位与起草人
起草单位包含:万向硅峰电子股份有限公司。
起草人包含:楼春兰 、朱兴萍 、方强 、汪新平 、戴文仙 。
*本网站标准资料仅供参考,使用标准请以正式出版的标准版本为准。

标准名称:半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
标准号:GB/T 6616-2009
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-06-01
管理部门:国家标准化管理委员会
行业分类:电气工程
起草单位包含:万向硅峰电子股份有限公司。
起草人包含:楼春兰 、朱兴萍 、方强 、汪新平 、戴文仙 。
*本网站标准资料仅供参考,使用标准请以正式出版的标准版本为准。