标准详情与信息
标准名称：半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
标准号：T/CASAS 009-2019
发布日期：2019-11-25
实施日期：2019-11-25
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。
起草单位与起草人
主要起草人：齐俊杰、魏学成、李志超、胡超胜、卫喆、张志国、陈秀芳、杨昆、杨祥龙、王亚哲、郭艳敏、王锡铭、张新河、李晋闽
起草单位：北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、山东大学、河北同光晶体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、深圳第三代半导体研究院。
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