标准详情与信息
标准名称：功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
标准号：T/IAWBS 009-2019
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。
起草单位与起草人
主要起草人：张瑾、仇志杰、宁圃奇、陆敏、李尧圣、陈艳芳、魏跃远、王泽兴、潘志坚、冷轶群、刘祎晨、林雪如。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京新能源汽车技术创新中心有限公司、深圳吉华微特电子有限公司。
范围：本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。
本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件。*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。