标准详情与信息
标准名称：导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
标准号：T/IAWBS 011-2019
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。
起草单位与起草人
主要起草人：张岩、赵然、李龙远、刘素娟、赵子强、郑红军、陆敏、刘春俊、王文军、刘祎晨、林雪如、陈鹏、韩超。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司,国宏中宇科技发展有限公司。
范围：本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。
本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。