标准详情与信息
标准名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
标准号：T/IAWBS 002-2017
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。
起草单位与起草人
主要起草人：钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、吴昊、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李赟、王英民、贾仁需、刘兴昉、陆敏、彭同华、刘振洲
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所
*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。