GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

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GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

标准详情与信息

标准名称:硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

标准号:GB/T 1551-2021

发布日期:2021-05-21

实施日期:2021-12-01

管理部门:国家标准化管理委员会

行业分类:冶金

此标准适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的P型硅单晶电阻率范围为7X10-4cm~8X103cm,n型硅单晶电阻率范围为7X10-4cm~1.5X10-4cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率。测试范围为1X10-3cm~1X10-4cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照此标准进行。

起草单位与起草人

起草单位包含:中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司、乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、亚洲硅业(青海)股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、开化县检验检测研究院、南京国盛电子有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、义乌力迈新材料有限公司。

起草人包含:刘立娜 、刘兆枫 、何烜坤 、刘刚 、杨素心 、孙燕 、高英 、王昕 、梁洪 、潘金平 、楼春兰 、宗冰 、李慎重 、潘文宾 、蔡丽艳 、王志强 、皮坤林 。

*本网站标准资料仅供参考,使用标准请以正式出版的标准版本为准。