GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

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GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

标准详情与信息

标准名称:低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

标准号:GB/T 34481-2017

发布日期:2017-10-14

实施日期:2018-07-01

管理部门:国家标准化管理委员会

行业分类:冶金

此标准适用于测试位错密度小于1000个/cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

起草单位与起草人

起草单位包含:云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。

起草人包含:惠峰 、普世坤 、董汝昆 。

*本网站标准资料仅供参考,使用标准请以正式出版的标准版本为准。